MBE坩堝

  • ● 產品概述:
       分子束外延(MBE)法是生產砷化鎵外延片方法之一,該法可制出多元、多層、同質、異質、超晶格和量子阱等結構的外延材料。晶體純度高,化學穩定性好。
    ●主要特點:
    1. 可制作大規格坩堝(最大直徑為12inch,最大高度為17inch);
    2. 密度高(最高可達2.19 g/cm3);
    3. 純度高(>99.99%);
    4.不易開裂(優異的熱膨脹系數)。
    ●主要參數:

    性能

    單位

    數值

    密度

    g/cm3

    2.0-2.19

    體積電阻系數

    Ω·cm

    3.11×1011

    抗張強度 (力|| “C”)

    N/mm2

    153.86

    抗彎強度

    (力|| “C”)

    N/mm2

    243.63

    (力⊥“C”)

    N/mm2

    197.76

    顯微硬度

     -

    N/mm2

    691.88

    熱傳導率

     -

    -

    “a”方向    “c”方向

    (200℃)

    W/m·k

    60         2.60

    (900℃)

    W/m·k

    43.70       2.80

    介電強度(室溫)

    KV/mm

    56

    ●產品的應用:
      主要用于MBE法合成半導體單晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物。
    ●聯系方式:
      0534-2129266
    * 國晶官網鏈接:www.guojingxincai.com

INDUSTRIAL LAYOUT

產業布局

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